Modulo di potenza GaN FENGHUA

La serie GaN IPM (Intelligent Power Module) di Fenghua Microelectronics sfrutta la tecnologia HEMT (Enhanced Electron Mobility Transistor) a modo di arricchimento in nitruro di gallio su substrato di silicio (GaN-on-Si) per offrire prestazioni affidabili in applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza e alta efficienza.

Grazie a un'architettura altamente integrata, la serie migliora la densità di potenza, ottimizza le prestazioni termiche e riduce la necessità di componenti esterni. In qualità di fornitore professionale di moduli GaN IPM in Cina, Fenghua offre soluzioni adatte sia ad applicazioni industriali che di consumo. Tutti i prodotti sono conformi a Direttiva RoHS rispettano gli standard e offrono prestazioni elettriche stabili e affidabilità a lungo termine.

Caratteristiche tecniche principali del modulo di potenza GaN

Perdite di conduzione ultra-basse
Raggiunge una resistenza di conduzione di soli 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), contribuendo a ridurre le perdite di conduzione e a migliorare l'efficienza complessiva del sistema.
Capacità di commutazione ad alta frequenza
Supporta frequenze di commutazione fino a 5 MHz, con bassa carica di gate (11 nC) e carica di recupero inversa nulla, adatta per progetti risonanti ad alta frequenza.
Meccanismi di protezione completi
Integra la protezione da sottotensione (UVLO), la protezione da sovratensione (OVLO) e la protezione da sovratemperatura (OTP) per garantire un funzionamento sicuro e stabile.
Immunità ad alto dv/dt
Offre un'immunità al rumore di 50 V/ns, contribuendo a sopprimere le interferenze elettromagnetiche e a mantenere prestazioni di commutazione stabili.
Gestione termica avanzata
Resistenza termica giunzione-involucro pari a soli 0,3 °C/W (NSG100LG025BD), che supporta il funzionamento continuo ad alta corrente e migliora la durata del dispositivo.
Design compatto dell'imballaggio
Disponibili in package LGA e QFN ultrasottili (da 5,0 mm × 6,0 mm a 7,0 mm × 4,7 mm), che riducono lo spazio occupato sul PCB e migliorano l'integrazione.

Specifiche del prodotto GaN IPM

NSG100LG025BD
Modulo HEMT GaN discreto con resistenza di conduzione di 1,9 mΩ, in grado di supportare una corrente continua superiore a 200 A. Confezionato in un package LGA ultrasottile (5,0 mm × 6,0 mm) con resistenza termica di 0,3 °C/W.
Adatto per convertitori DC-DC ad alta frequenza, protezione BMS e applicazioni di alimentazione mobile ad alta potenza.

NDG100QF070MD
Modulo half-bridge GaN integrato con resistenza di conduzione di 5,5 mΩ e driver di gate incorporato, che supporta frequenze di commutazione fino a 5 MHz. Confezionato in QFN (5,5 mm × 4,5 mm), con ritardo di propagazione di 20 ns e adattamento di ritardo di 1 ns. Include condensatori VCC/BST integrati per semplificare il layout del PCB.
Consigliato per alimentatori per data center, computer di bordo per autoveicoli e convertitori risonanti LLC.

NDG100QF032MD
Semiponte GaN ad alta corrente con resistenza di conduzione di 2,4 mΩ, in grado di supportare una corrente continua di 60 A. Confezionato in QFN (7,0 mm × 4,7 mm), con immunità dv/dt di 50 V/ns.
Adatto per azionamenti di motori a 48 V (500 W–1 kW), sistemi servo industriali e controllo di giunti robotici.

Applicazioni tipiche di GaN IPM

Questa serie è progettata per applicazioni ad alta densità di potenza in diversi settori industriali:
Elettronica di consumo: adattatori per case PC ad alta potenza e power bank per dispositivi mobili (NSG100LG025BD).
Sistemi per autoveicoli: caricabatterie di bordo (OBC) e convertitore CC-CC (NDG100QF070MD).
Automazione industriale: servomotori di precisione e attuatori per giunti robotici (NDG100QF032MD).
Infrastruttura del data center: alimentatori per server e convertitore buck-boost ad alta frequenza (NDG100QF070MD).
Sistemi di energia rinnovabile: protezione delle batterie (BMS) e inverter fotovoltaici.

La serie GaN IPM di Fenghua Microelectronics è un prodotto che integra alta efficienza, design compatto e protezione affidabile. Offre basse perdite di conduzione e capacità di commutazione ad alta frequenza, contribuendo a ridurre le dimensioni del sistema e a migliorarne le prestazioni.

Per informazioni dettagliate sui parametri elettrici e le linee guida per la progettazione dell'applicazione, consultare la scheda tecnica o contattarci per ricevere supporto tecnico.