鳳華 GaN パワーモジュール

Fenghua Microelectronics社のGaN IPM（インテリジェントパワーモジュール）シリーズは、シリコン基板窒化ガリウム（GaN-on-Si）エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術を活用し、高周波・高効率の電力変換アプリケーションにおいて信頼性の高い性能を実現します。.

高度に統合されたアーキテクチャにより、このシリーズは電力密度を向上させ、熱性能を強化し、外部コンポーネントの必要性を低減します。中国のプロフェッショナルなGaN IPMモジュールサプライヤーとして、Fenghuaは産業用および民生用アプリケーションの両方に適したソリューションを提供します。すべての製品は、 RoHS 規格に準拠し、安定した電気的性能と長期的な信頼性を提供します。.

GaNパワーモジュールの主な技術的特徴

超低伝導損失
オン抵抗を1.9mΩ（NSG100LG025BD）まで低減し、導通損失の低減とシステム全体の効率向上に貢献します。.
高周波スイッチング機能
最大5MHzのスイッチング周波数をサポートし、ゲート電荷は低く（11nC）、逆回復電荷はゼロであるため、高周波共振設計に適しています。.
包括的な保護メカニズム
低電圧ロックアウト（UVLO）、過電圧ロックアウト（OVLO）、および過熱保護（OTP）を統合し、安全で安定した動作を保証します。.
高いdv/dt耐性
50V/nsのノイズ耐性を備え、EMIを抑制し、安定したスイッチング性能を維持するのに役立ちます。.
高度な熱管理
接合部とケース間の熱抵抗が0.3℃/W（NSG100LG025BD）と低く、連続的な高電流動作をサポートし、デバイスの寿命を向上させます。.
コンパクトなパッケージデザイン
超薄型のLGAおよびQFNパッケージ（5.0mm×6.0mm～7.0mm×4.7mm）で提供され、PCBスペースの削減と集積度の向上を実現します。.

GaN IPM製品仕様

NSG100LG025BD
オン抵抗1.9mΩ、連続電流200A以上に対応するディスクリートGaN HEMTモジュール。熱抵抗0.3℃/Wの超薄型LGAパッケージ（5.0mm×6.0mm）に収められています。.
高周波DC-DCコンバータ、BMS保護、および高出力モバイル電源アプリケーションに適しています。.

NDG100QF070MD
オン抵抗5.5mΩ、ゲートドライバ内蔵のGaNハーフブリッジモジュール。最大5MHzのスイッチング周波数に対応。QFNパッケージ（5.5mm×4.5mm）で、伝搬遅延20ns、遅延整合1nsを実現。VCC/BSTコンデンサ内蔵で、PCBレイアウトを簡素化。.
データセンター用電源、車載用オンボードコンピューター（OBC）、およびLLC共振コンバータに推奨されます。.

NDG100QF032MD
オン抵抗2.4mΩ、連続電流60Aに対応する高電流GaNハーフブリッジ。QFNパッケージ（7.0mm×4.7mm）で、dv/dt耐性は50V/ns。.
48Vモーター駆動（500W～1kW）、産業用サーボシステム、ロボット関節制御に適しています。.

GaN IPMの代表的な用途

このシリーズは、さまざまな産業分野における高電力密度用途向けに設計されています。
家電製品：高出力PCケースアダプターおよびモバイルバッテリー（NSG100LG025BD）。.
自動車システム：オンボードチャージャー（OBC）およびDC-DCコンバータ（NDG100QF070MD）。.
産業オートメーション：高精度サーボドライブおよびロボット関節アクチュエータ（NDG100QF032MD）。.
データセンターインフラストラクチャ：サーバー用電源装置および高周波昇降圧コンバータ（NDG100QF070MD）。.
再生可能エネルギーシステム：バッテリー保護（BMS）と太陽光発電インバーター。.

Fenghua Microelectronics社のGaN IPMシリーズは、高効率、コンパクトな設計、そして信頼性の高い保護機能を統合した製品です。低伝導損失と高周波スイッチング機能を備え、システムサイズの縮小とシステム性能の向上に貢献します。.

詳細な電気的特性やアプリケーション設計ガイドラインについては、データシートを参照するか、技術サポートについてお問い合わせください。.