FENGHUA GaN Güç Modülü

Fenghua Mikroelektronik GaN IPM (Akıllı Güç Modülü) serisi, yüksek frekanslı, yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında güvenilir performans sağlamak için silikon alt tabakalı galyum nitrür (GaN-on-Si) geliştirme modlu yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör (HEMT) teknolojisinden yararlanmaktadır.

Yüksek düzeyde entegre mimarisiyle bu seri, güç yoğunluğunu artırır, termal performansı iyileştirir ve harici bileşenlere olan ihtiyacı azaltır. Çin'de profesyonel bir GaN IPM modül tedarikçisi olan Fenghua, hem endüstriyel hem de tüketici uygulamalarına uygun çözümler sunmaktadır. Tüm ürünler şunlarla uyumludur: RoHS standartlara uygun olup istikrarlı elektrik performansı ve uzun vadeli güvenilirlik sunar.

GaN Güç Modülü Temel Teknik Özellikleri

Ultra Düşük İletim Kayıpları
1,9 mΩ kadar düşük açık direnç (NSG100LG025BD) elde ederek iletim kayıplarını azaltmaya ve genel sistem verimliliğini artırmaya yardımcı olur.
Yüksek Frekanslı Anahtarlama Yeteneği
5 MHz'e kadar anahtarlama frekanslarını destekler, düşük geçit yükü (11 nC) ve sıfır ters toparlanma yükü ile yüksek frekanslı rezonans tasarımları için uygundur.
Kapsamlı Koruma Mekanizmaları
Güvenli ve istikrarlı çalışma sağlamak için düşük voltaj kilitleme (UVLO), yüksek voltaj kilitleme (OVLO) ve aşırı sıcaklık koruma (OTP) özelliklerini entegre eder.
Yüksek dv/dt Bağışıklığı
50 V/ns gürültü bağışıklığı sağlayarak elektromanyetik girişimi (EMI) bastırmaya ve istikrarlı anahtarlama performansını korumaya yardımcı olur.
Gelişmiş Termal Yönetim
Bağlantı noktası ile kasa arasındaki termal direnç 0,3°C/W kadar düşük (NSG100LG025BD), bu da sürekli yüksek akım çalışmasını destekler ve cihaz ömrünü uzatır.
Kompakt Ambalaj Tasarımı
Ultra ince LGA ve QFN paketlerinde (5,0 mm × 6,0 mm ila 7,0 mm × 4,7 mm) mevcuttur, bu da PCB alanını azaltır ve entegrasyonu iyileştirir.

GaN IPM Ürün Özellikleri

NSG100LG025BD
1,9 mΩ açık direncine sahip, 200 A'den fazla sürekli akımı destekleyen ayrık GaN HEMT modülü. 0,3°C/W termal dirence sahip ultra ince LGA (5,0 mm × 6,0 mm) paketinde sunulmaktadır.
Yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücüler, BMS koruması ve yüksek güçlü mobil güç uygulamaları için uygundur.

NDG100QF070MD
5,5 mΩ açık direnci ve dahili kapı sürücüsü ile entegre GaN yarım köprü modülü, 5 MHz'e kadar anahtarlama frekanslarını destekler. 20 ns yayılım gecikmesi ve 1 ns gecikme eşleşmesi ile QFN (5,5 mm × 4,5 mm) paketinde sunulmaktadır. Basitleştirilmiş PCB düzeni için entegre VCC/BST kapasitörleri içerir.
Veri merkezi güç kaynakları, otomotiv OBC'leri ve LLC rezonans dönüştürücüler için önerilir.

NDG100QF032MD
2,4 mΩ açık direncine sahip, 60 A sürekli akımı destekleyen yüksek akımlı GaN yarım köprü. 50 V/ns dv/dt bağışıklığına sahip QFN (7,0 mm × 4,7 mm) paketinde sunulmaktadır.
48 V motor sürücüleri (500 W–1 kW), endüstriyel servo sistemleri ve robotik eklem kontrolü için uygundur.

GaN IPM Tipik Uygulamaları

Bu seri, çeşitli sektörlerde yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır:
Tüketici Elektroniği: Yüksek güçlü PC kasa adaptörleri ve taşınabilir güç bankaları (NSG100LG025BD).
Otomotiv Sistemleri: Araç içi şarj cihazı (OBC) ve DC-DC dönüştürücü (NDG100QF070MD).
Endüstriyel Otomasyon: Hassas servo sürücüler ve robotik eklem aktüatörleri (NDG100QF032MD).
Veri Merkezi Altyapısı: Sunucu güç kaynakları ve yüksek frekanslı buck-boost dönüştürücü (NDG100QF070MD).
Yenilenebilir Enerji Sistemleri: Akü koruma sistemleri (BMS) ve fotovoltaik invertörler.

Fenghua Mikroelektronik GaN IPM serisi, yüksek verimlilik, kompakt tasarım ve güvenilir korumayı bir araya getiren bir üründür. Düşük iletim kayıpları ve yüksek frekanslı anahtarlama yeteneği sağlayarak sistem boyutunu küçültmeye ve sistem performansını iyileştirmeye yardımcı olur.

Ayrıntılı elektriksel parametreler ve uygulama tasarım yönergeleri için lütfen veri sayfasına bakın veya teknik destek için bizimle iletişime geçin.