FENGHUA GaN-Leistungsmodul

Die GaN IPM (Intelligent Power Module)-Serie von Fenghua Microelectronics nutzt die Siliziumsubstrat-Galliumnitrid (GaN-on-Si)-Enhancement-Mode-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor), um eine zuverlässige Leistung in Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungswandlungsanwendungen zu gewährleisten.

Dank ihrer hochintegrierten Architektur verbessert die Serie die Leistungsdichte, optimiert die thermische Leistung und reduziert den Bedarf an externen Komponenten. Als professioneller Anbieter von GaN-IPM-Modulen in China bietet Fenghua Lösungen für industrielle und private Anwendungen. Alle Produkte entsprechen den geltenden Normen. RoHS Sie entsprechen den Standards und bieten stabile elektrische Leistung sowie langfristige Zuverlässigkeit.

Wichtigste technische Merkmale des GaN-Leistungsmoduls

Extrem niedrige Leitungsverluste
Erreicht einen Einschaltwiderstand von nur 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz des Systems verbessert werden.
Hochfrequenz-Schaltfähigkeit
Unterstützt Schaltfrequenzen bis zu 5 MHz, mit niedriger Gate-Ladung (11 nC) und Null-Rücklade-Ladung, geeignet für Hochfrequenz-Resonanzschaltungen.
Umfassende Schutzmechanismen
Integriert Unterspannungsschutz (UVLO), Überspannungsschutz (OVLO) und Übertemperaturschutz (OTP), um einen sicheren und stabilen Betrieb zu gewährleisten.
Hohe dv/dt-Immunität
Bietet eine Störfestigkeit von 50 V/ns, wodurch elektromagnetische Störungen unterdrückt und ein stabiles Schaltverhalten gewährleistet werden.
Fortschrittliches Wärmemanagement
Der thermische Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt nur 0,3°C/W (NSG100LG025BD) und ermöglicht so einen kontinuierlichen Hochstrombetrieb und eine verbesserte Lebensdauer des Bauelements.
Kompaktes Verpackungsdesign
Erhältlich in ultradünnen LGA- und QFN-Gehäusen (5,0 mm × 6,0 mm bis 7,0 mm × 4,7 mm), wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte reduziert und die Integration verbessert wird.

GaN IPM Produktspezifikationen

NSG100LG025BD
Diskretes GaN-HEMT-Modul mit 1,9 mΩ Einschaltwiderstand, geeignet für Dauerströme über 200 A. Gehäuse in ultradünnem LGA-Gehäuse (5,0 mm × 6,0 mm) mit einem Wärmewiderstand von 0,3 °C/W.
Geeignet für Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, BMS-Schutz und mobile Hochleistungsstromversorgungsanwendungen.

NDG100QF070MD
Integriertes GaN-Halbbrückenmodul mit 5,5 mΩ Einschaltwiderstand und integriertem Gate-Treiber, unterstützt Schaltfrequenzen bis zu 5 MHz. Gehäuse im QFN-Format (5,5 mm × 4,5 mm) mit 20 ns Laufzeitverzögerung und 1 ns Laufzeitanpassung. Integrierte VCC/BST-Kondensatoren vereinfachen das Leiterplattenlayout.
Empfohlen für Rechenzentrumsnetzteile, Bordnetzteile in Kraftfahrzeugen und LLC-Resonanzwandler.

NDG100QF032MD
Hochstromfähige GaN-Halbbrücke mit 2,4 mΩ Einschaltwiderstand, geeignet für 60 A Dauerstrom. Gehäuse im QFN-Format (7,0 mm × 4,7 mm) mit einer Spannungsfestigkeit von 50 V/ns.
Geeignet für 48-V-Motorantriebe (500 W–1 kW), industrielle Servosysteme und Robotergelenksteuerung.

GaN IPM Typische Anwendungen

Diese Serie ist für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte in einer Vielzahl von Branchen konzipiert:
Unterhaltungselektronik: Hochleistungs-PC-Gehäuseadapter und mobile Powerbanks (NSG100LG025BD).
Automobilsysteme: On-Board-Ladegerät (OBC) und DC-DC-Wandler (NDG100QF070MD).
Industrieautomation: Präzisions-Servoantriebe und Robotergelenkaktuatoren (NDG100QF032MD).
Rechenzentrumsinfrastruktur: Server-Netzteile und Hochfrequenz-Aufwärts-/Abwärtswandler (NDG100QF070MD).
Systeme für erneuerbare Energien: Batterieschutzsysteme (BMS) und PV-Wechselrichter.

Die GaN-IPM-Serie von Fenghua Microelectronics vereint hohe Effizienz, kompaktes Design und zuverlässigen Schutz. Sie bietet geringe Leitungsverluste und Hochfrequenz-Schaltfähigkeit, wodurch die Systemgröße reduziert und die Systemleistung verbessert wird.

Detaillierte elektrische Parameter und Anwendungsrichtlinien entnehmen Sie bitte dem Datenblatt oder kontaktieren Sie uns für technischen Support.