Mô-đun nguồn GaN FENGHUA

Dòng sản phẩm GaN IPM (Mô-đun nguồn thông minh) của Fenghua Microelectronics sử dụng công nghệ transistor HEMT (transistor có độ linh động điện tử cao) chế độ tăng cường trên nền silicon gallium nitride (GaN-on-Si) để mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng tần số cao, hiệu suất cao.

Với kiến trúc tích hợp cao, dòng sản phẩm này cải thiện mật độ công suất, nâng cao hiệu suất tản nhiệt và giảm nhu cầu sử dụng các linh kiện bên ngoài. Là nhà cung cấp mô-đun GaN IPM chuyên nghiệp tại Trung Quốc, Fenghua cung cấp các giải pháp phù hợp cho cả ứng dụng công nghiệp và tiêu dùng. Tất cả sản phẩm đều tuân thủ các tiêu chuẩn. RoHS Đáp ứng các tiêu chuẩn và mang lại hiệu suất điện ổn định cùng độ tin cậy lâu dài.

Các tính năng kỹ thuật chính của mô-đun nguồn GaN

Tổn thất dẫn điện cực thấp
Đạt được điện trở bật thấp tới 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), giúp giảm tổn thất dẫn điện và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
Khả năng chuyển mạch tần số cao
Hỗ trợ tần số chuyển mạch lên đến 5 MHz, với điện tích cổng thấp (11 nC) và điện tích phục hồi ngược bằng không, phù hợp cho các thiết kế cộng hưởng tần số cao.
Các cơ chế bảo vệ toàn diện
Tích hợp chức năng khóa điện áp thấp (UVLO), khóa điện áp cao (OVLO) và bảo vệ quá nhiệt (OTP) để đảm bảo hoạt động an toàn và ổn định.
Khả năng miễn dịch dv/dt cao
Cung cấp khả năng chống nhiễu 50 V/ns, giúp triệt tiêu nhiễu điện từ (EMI) và duy trì hiệu suất chuyển mạch ổn định.
Quản lý nhiệt tiên tiến
Điện trở nhiệt từ mối nối đến vỏ thấp tới 0,3°C/W (NSG100LG025BD), hỗ trợ hoạt động liên tục với dòng điện cao và cải thiện tuổi thọ thiết bị.
Thiết kế bao bì nhỏ gọn
Có sẵn ở dạng gói LGA và QFN siêu mỏng (5,0 mm × 6,0 mm đến 7,0 mm × 4,7 mm), giúp giảm diện tích PCB và cải thiện khả năng tích hợp.

Thông số kỹ thuật sản phẩm GaN IPM

NSG100LG025BD
Mô-đun GaN HEMT rời rạc với điện trở bật 1,9 mΩ, hỗ trợ dòng điện liên tục trên 200 A. Được đóng gói trong LGA siêu mỏng (5,0 mm × 6,0 mm) với điện trở nhiệt 0,3°C/W.
Thích hợp cho các bộ chuyển đổi DC-DC tần số cao, bảo vệ BMS và các ứng dụng nguồn điện di động công suất cao.

NDG100QF070MD
Mô-đun bán cầu GaN tích hợp với điện trở bật 5,5 mΩ và mạch điều khiển cổng tích hợp, hỗ trợ tần số chuyển mạch lên đến 5 MHz. Được đóng gói trong QFN (5,5 mm × 4,5 mm), với độ trễ lan truyền 20 ns và độ trễ khớp nối 1 ns. Bao gồm các tụ điện VCC/BST tích hợp để đơn giản hóa bố trí mạch in.
Được khuyến nghị sử dụng cho nguồn điện trung tâm dữ liệu, bộ điều khiển sạc trên xe hơi (OBC) và bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC.

NDG100QF032MD
Mạch bán cầu GaN dòng điện cao với điện trở bật 2,4 mΩ, hỗ trợ dòng điện liên tục 60 A. Được đóng gói trong QFN (7,0 mm × 4,7 mm), với khả năng chống nhiễu dv/dt 50 V/ns.
Thích hợp cho các bộ điều khiển động cơ 48 V (500 W–1 kW), hệ thống servo công nghiệp và điều khiển khớp robot.

Các ứng dụng điển hình của GaN IPM

Dòng sản phẩm này được thiết kế cho các ứng dụng có mật độ công suất cao trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau:
Thiết bị điện tử tiêu dùng: Bộ chuyển đổi nguồn cho vỏ máy tính công suất cao và pin dự phòng di động (NSG100LG025BD).
Hệ thống ô tô: Bộ sạc trên xe (OBC) và bộ chuyển đổi DC-DC (NDG100QF070MD).
Tự động hóa công nghiệp: Bộ truyền động servo chính xác và bộ truyền động khớp robot (NDG100QF032MD).
Cơ sở hạ tầng trung tâm dữ liệu: Bộ nguồn máy chủ và bộ chuyển đổi buck-boost tần số cao (NDG100QF070MD).
Hệ thống năng lượng tái tạo: Hệ thống bảo vệ pin (BMS) và biến tần quang điện.

Dòng sản phẩm GaN IPM của Fenghua Microelectronics tích hợp hiệu suất cao, thiết kế nhỏ gọn và khả năng bảo vệ đáng tin cậy. Sản phẩm này cung cấp tổn thất dẫn điện thấp, khả năng chuyển mạch tần số cao giúp giảm kích thước hệ thống và nâng cao hiệu suất hệ thống.

Vui lòng xem bảng thông số kỹ thuật hoặc liên hệ với chúng tôi để được hỗ trợ kỹ thuật về các thông số điện chi tiết và hướng dẫn thiết kế ứng dụng.