โมดูลพลังงาน FENGHUA GaN

โมดูลพลังงานอัจฉริยะ (IPM) รุ่น GaN ของ Fenghua Microelectronics ใช้เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ความคล่องตัวสูงของอิเล็กตรอนแบบเสริมประสิทธิภาพ (HEMT) บนพื้นผิวซิลิคอนแกลเลียมไนไตรด์ (GaN-on-Si) เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้ในการใช้งานแปลงพลังงานความถี่สูงและมีประสิทธิภาพสูง.

ด้วยสถาปัตยกรรมแบบบูรณาการสูง ซีรีส์นี้ช่วยเพิ่มความหนาแน่นของพลังงาน เพิ่มประสิทธิภาพการระบายความร้อน และลดความจำเป็นในการใช้ส่วนประกอบภายนอก ในฐานะผู้จัดจำหน่ายโมดูล GaN IPM ระดับมืออาชีพในประเทศจีน Fenghua นำเสนอโซลูชันที่เหมาะสมสำหรับทั้งการใช้งานในภาคอุตสาหกรรมและภาคผู้บริโภค ผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเป็นไปตามมาตรฐาน โรเอสอาร์เอส ตรงตามมาตรฐานและให้ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่เสถียรและความน่าเชื่อถือในระยะยาว.

คุณสมบัติทางเทคนิคที่สำคัญของโมดูลพลังงาน GaN

การสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำมากเป็นพิเศษ
มีค่าความต้านทานขณะเปิดใช้งานต่ำถึง 1.9 มิลลิโอห์ม (NSG100LG025BD) ช่วยลดการสูญเสียจากการนำไฟฟ้าและปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมของระบบ.
ความสามารถในการสลับความถี่สูง
รองรับความถี่ในการสวิตช์ได้สูงสุดถึง 5 MHz โดยมีประจุเกตต่ำ (11 nC) และประจุการฟื้นตัวย้อนกลับเป็นศูนย์ เหมาะสำหรับการออกแบบวงจรเรโซแนนซ์ความถี่สูง.
กลไกการคุ้มครองที่ครอบคลุม
ผสานรวมระบบล็อคการทำงานเมื่อแรงดันไฟต่ำเกินไป (UVLO), ระบบล็อคการทำงานเมื่อแรงดันไฟสูงเกินไป (OVLO) และระบบป้องกันอุณหภูมิเกิน (OTP) เพื่อให้มั่นใจถึงการทำงานที่ปลอดภัยและเสถียร.
ภูมิคุ้มกัน dv/dt สูง
ให้ความต้านทานต่อสัญญาณรบกวน 50 V/ns ช่วยลด EMI และรักษาประสิทธิภาพการสวิตช์ให้เสถียร.
ระบบจัดการความร้อนขั้นสูง
ความต้านทานความร้อนจากจุดเชื่อมต่อถึงตัวเรือนต่ำถึง 0.3°C/W (NSG100LG025BD) รองรับการทำงานที่กระแสสูงอย่างต่อเนื่องและช่วยยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์.
การออกแบบบรรจุภัณฑ์ขนาดกะทัดรัด
มีให้เลือกในแพ็คเกจ LGA และ QFN ที่บางเป็นพิเศษ (5.0 มม. × 6.0 มม. ถึง 7.0 มม. × 4.7 มม.) ช่วยลดพื้นที่บนแผงวงจรพิมพ์และเพิ่มประสิทธิภาพการรวมวงจร.

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ GaN IPM

NSG100LG025BD
โมดูล GaN HEMT แบบแยกชิ้น มีความต้านทานขณะเปิดใช้งาน 1.9 มิลลิโอห์ม รองรับกระแสต่อเนื่องได้มากกว่า 200 แอมป์ บรรจุในแพ็คเกจ LGA บางเฉียบ (5.0 มม. × 6.0 มม.) พร้อมความต้านทานความร้อน 0.3°C/W.
เหมาะสำหรับวงจรแปลงไฟ DC-DC ความถี่สูง ระบบป้องกัน BMS และการใช้งานแหล่งจ่ายไฟเคลื่อนที่กำลังสูง.

NDG100QF070MD
โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ GaN แบบรวมวงจร มีความต้านทานขณะเปิด 5.5 mΩ และวงจรขับเกตในตัว รองรับความถี่ในการสวิตช์ได้สูงสุด 5 MHz บรรจุในแพ็คเกจ QFN (5.5 มม. × 4.5 มม.) มีความล่าช้าในการส่งสัญญาณ 20 ns และการจับคู่ความล่าช้า 1 ns รวมถึงตัวเก็บประจุ VCC/BST แบบรวมวงจรเพื่อลดความซับซ้อนของการออกแบบ PCB.
เหมาะสำหรับใช้กับแหล่งจ่ายไฟของศูนย์ข้อมูล, OBC ในรถยนต์ และตัวแปลงเรโซแนนซ์ LLC.

NDG100QF032MD
วงจรฮาล์ฟบริดจ์ GaN กระแสสูง มีความต้านทานขณะเปิดใช้งาน 2.4 มิลลิโอห์ม รองรับกระแสต่อเนื่อง 60 แอมป์ บรรจุในแพ็คเกจ QFN (7.0 มม. × 4.7 มม.) ทนทานต่อแรงดันไฟเกิน 50 โวลต์/นาโนวินาที.
เหมาะสำหรับมอเตอร์ขับเคลื่อน 48 โวลต์ (500 วัตต์–1 กิโลวัตต์), ระบบเซอร์โวอุตสาหกรรม และการควบคุมข้อต่อหุ่นยนต์.

การใช้งานทั่วไปของ GaN IPM

ผลิตภัณฑ์ซีรีส์นี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับการใช้งานที่ต้องการกำลังไฟฟ้าสูงในหลากหลายอุตสาหกรรม:
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค: อะแดปเตอร์สำหรับเคสพีซีกำลังไฟสูงและพาวเวอร์แบงค์พกพา (NSG100LG025BD).
ระบบยานยนต์: เครื่องชาร์จในตัว (OBC) และตัวแปลง DC-DC (NDG100QF070MD).
ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม: ชุดขับเซอร์โวความแม่นยำสูงและแอคทูเอเตอร์ข้อต่อหุ่นยนต์ (NDG100QF032MD).
โครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูล: แหล่งจ่ายไฟสำหรับเซิร์ฟเวอร์และตัวแปลงบัค-บูสต์ความถี่สูง (NDG100QF070MD).
ระบบพลังงานหมุนเวียน: ระบบป้องกันแบตเตอรี่ (BMS) และอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ (PV inverter).

ผลิตภัณฑ์ซีรี่ส์ GaN IPM จาก Fenghua Microelectronics เป็นผลิตภัณฑ์ที่ผสานรวมประสิทธิภาพสูง การออกแบบที่กะทัดรัด และการป้องกันที่เชื่อถือได้ ช่วยลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ความสามารถในการสวิตช์ความถี่สูง เพื่อลดขนาดระบบและปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบ.

โปรดดูเอกสารข้อมูลจำเพาะหรือติดต่อเราเพื่อขอรับการสนับสนุนทางเทคนิคสำหรับพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าโดยละเอียดและแนวทางการออกแบบสำหรับการใช้งาน.