Модуль питания FENGHUA GaN

Исключительная эффективность и сверхнизкие потери на высоких частотах.,
Высокоинтегрированная архитектура для оптимизации проектирования системы.,
Комплексная многоуровневая защита для обеспечения надежности в критически важных системах.

Образцы: Доступны качественные образцы
Продукция: Поставка с завода, конкурентоспособная цена

В серии GaN IPM (интеллектуальные силовые модули) от Fenghua Microelectronics используется технология транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия с кремниевой подложкой (GaN-on-Si), обеспечивающая надежную работу в высокочастотных и высокоэффективных приложениях преобразования энергии.

Благодаря высокоинтегрированной архитектуре, эта серия повышает плотность мощности, улучшает тепловые характеристики и снижает потребность во внешних компонентах. Компания Fenghua, являясь профессиональным поставщиком модулей GaN IPM в Китае, предлагает решения, подходящие как для промышленного, так и для бытового применения. Вся продукция соответствует стандартам. RoHS соответствует стандартам и обеспечивает стабильные электрические характеристики и долговременную надежность.

Основные технические характеристики силового модуля на основе GaN

Сверхнизкие потери проводимости
Достигается сопротивление в открытом состоянии всего 1,9 мОм (NSG100LG025BD), что помогает снизить потери проводимости и повысить общую эффективность системы.
Возможность высокочастотного переключения
Поддерживает частоты переключения до 5 МГц, имеет низкий заряд затвора (11 нКл) и нулевой заряд обратного восстановления, что подходит для высокочастотных резонансных схем.
Комплексные механизмы защиты
Интегрирует защиту от пониженного напряжения (UVLO), защиту от повышенного напряжения (OVLO) и защиту от перегрева (OTP) для обеспечения безопасной и стабильной работы.
Высокий иммунитет к dv/dt
Обеспечивает помехоустойчивость 50 В/нс, помогая подавлять электромагнитные помехи и поддерживать стабильные характеристики переключения.
Усовершенствованная система терморегулирования
Тепловое сопротивление между переходом и корпусом составляет всего 0,3 °C/Вт (NSG100LG025BD), что обеспечивает непрерывную работу при высоких токах и увеличивает срок службы устройства.
Компактный дизайн упаковки
Доступны в сверхтонких корпусах LGA и QFN (от 5,0 мм × 6,0 мм до 7,0 мм × 4,7 мм), что уменьшает занимаемое пространство на печатной плате и улучшает интеграцию.

Технические характеристики изделия GaN IPM

NSG100LG025BD
Дискретный GaN HEMT-модуль с сопротивлением в открытом состоянии 1,9 мОм, поддерживающий непрерывный ток более 200 А. Выполнен в сверхтонком корпусе LGA (5,0 мм × 6,0 мм) с тепловым сопротивлением 0,3 °C/Вт.
Подходит для высокочастотных преобразователей постоянного тока, защиты систем управления батареями (BMS) и мощных мобильных источников питания.

NDG100QF070MD
Интегрированный полумостовой модуль на основе GaN с сопротивлением в открытом состоянии 5,5 мОм и встроенным драйвером затвора, поддерживающий частоты переключения до 5 МГц. Выполнен в корпусе QFN (5,5 мм × 4,5 мм), имеет задержку распространения 20 нс и согласование задержки 1 нс. Включает интегрированные конденсаторы VCC/BST для упрощения компоновки печатной платы.
Рекомендуется для источников питания центров обработки данных, автомобильных бортовых зарядных устройств и резонансных преобразователей LLC.

NDG100QF032MD
Высокотоковый полумост на основе нитрида галлия (GaN) с сопротивлением в открытом состоянии 2,4 мОм, поддерживающий непрерывный ток 60 А. Корпус QFN (7,0 мм × 4,7 мм), устойчивость к задержке dv/dt 50 В/нс.
Подходит для приводов двигателей 48 В (500 Вт–1 кВт), промышленных сервосистем и управления шарнирами роботов.

Типичные области применения GaN IPM

Данная серия предназначена для применения в системах с высокой удельной мощностью в различных отраслях промышленности:
Бытовая электроника: мощные адаптеры для корпусов ПК и портативные зарядные устройства (NSG100LG025BD).
Автомобильные системы: бортовое зарядное устройство (OBC) и преобразователь постоянного тока (NDG100QF070MD).
Промышленная автоматизация: прецизионные сервоприводы и приводы шарниров роботов (NDG100QF032MD).
Инфраструктура центра обработки данных: блоки питания для серверов и высокочастотный понижающе-повышающий преобразователь (NDG100QF070MD).
Системы возобновляемой энергии: системы защиты батарей (BMS) и фотоэлектрические инверторы.

Серия GaN IPM от Fenghua Microelectronics — это продукт, сочетающий в себе высокую эффективность, компактный дизайн и надежную защиту. Он обеспечивает низкие потери проводимости и возможность переключения на высоких частотах, что помогает уменьшить габариты системы и повысить ее производительность.

Подробные электрические параметры и рекомендации по проектированию применения см. в техническом описании или свяжитесь с нами для получения технической поддержки.

NDG100LG070BD

NDG100LG070BD

NDG100LG032MD

NDG100LG032MD

NSG100G025BD

NSG100G025BD

МодельТип упаковкиУпаковкаВД (В)Тип RDS (вкл.)ID@25℃
NDG100LG070BDЛГА5,5×4,5×1,0 мм1006,3 мОм29А
NDG100LG032MDЛГА7,0×5,0×1,0 мм1002,7 мОм60А
NSG100G025BDFCLGA5,0×6,0×1,0 мм1001,9 мОм540 мА

Компания Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding CO.,LTD, основанная в 1984 году, является публично котируемым производителем электронных компонентов с вертикально интегрированными научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими разработками и возможностями крупномасштабного производства.

СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ