Module d'alimentation FENGHUA GaN
Rendement exceptionnel et pertes ultra-faibles aux hautes fréquences,
Architecture hautement intégrée pour une conception système rationalisée,
Protection multicouche complète pour une fiabilité critique
Exemples : Échantillons de qualité disponibles
Produits : Approvisionnement direct usine, prix compétitif
La série Fenghua Microelectronics GaN IPM (Intelligent Power Module) exploite la technologie des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en mode d'enrichissement sur substrat de nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) pour offrir des performances fiables dans les applications de conversion de puissance à haute fréquence et à haut rendement.
Grâce à une architecture hautement intégrée, cette série améliore la densité de puissance, optimise les performances thermiques et réduit le besoin en composants externes. Fournisseur professionnel de modules IPM GaN en Chine, Fenghua propose des solutions adaptées aux applications industrielles et grand public. Tous les produits sont conformes aux normes en vigueur. RoHS respectant les normes, ces performances électriques stables et cette fiabilité à long terme sont garanties.
Caractéristiques techniques clés du module de puissance GaN
Pertes par conduction ultra-faibles
Atteint une résistance à l'état passant aussi faible que 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), contribuant à réduire les pertes par conduction et à améliorer l'efficacité globale du système.
Capacité de commutation haute fréquence
Prend en charge des fréquences de commutation jusqu'à 5 MHz, avec une faible charge de grille (11 nC) et une charge de récupération inverse nulle, adaptée aux conceptions résonantes haute fréquence.
Mécanismes de protection complets
Intègre un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), un verrouillage en cas de surtension (OVLO) et une protection contre la surchauffe (OTP) pour garantir un fonctionnement sûr et stable.
Immunité élevée dv/dt
Offre une immunité au bruit de 50 V/ns, contribuant à supprimer les interférences électromagnétiques et à maintenir des performances de commutation stables.
Gestion thermique avancée
Résistance thermique jonction-boîtier aussi faible que 0,3°C/W (NSG100LG025BD), permettant un fonctionnement continu à courant élevé et améliorant la durée de vie du dispositif.
Conception d'emballage compact
Disponibles en boîtiers LGA et QFN ultra-minces (5,0 mm × 6,0 mm à 7,0 mm × 4,7 mm), réduisant l'espace sur le circuit imprimé et améliorant l'intégration.
Spécifications du produit GaN IPM
NSG100LG025BD
Module HEMT GaN discret avec une résistance à l'état passant de 1,9 mΩ, supportant un courant continu supérieur à 200 A. Boîtier LGA ultra-mince (5,0 mm × 6,0 mm) avec une résistance thermique de 0,3 °C/W.
Convient aux convertisseurs CC-CC haute fréquence, à la protection BMS et aux applications d'alimentation mobile haute puissance.
NDG100QF070MD
Module demi-pont GaN intégré avec résistance à l'état passant de 5,5 mΩ et circuit de commande de grille intégré, supportant des fréquences de commutation jusqu'à 5 MHz. Boîtier QFN (5,5 mm × 4,5 mm), avec un temps de propagation de 20 ns et une adaptation de délai de 1 ns. Condensateurs VCC/BST intégrés pour une conception simplifiée du circuit imprimé.
Recommandé pour les alimentations de centres de données, les OBC automobiles et les convertisseurs résonants LLC.
NDG100QF032MD
Demi-pont GaN haute intensité avec une résistance à l'état passant de 2,4 mΩ, supportant un courant continu de 60 A. Boîtier QFN (7,0 mm × 4,7 mm), avec une immunité dv/dt de 50 V/ns.
Convient aux entraînements de moteurs 48 V (500 W–1 kW), aux systèmes servo industriels et à la commande des articulations robotiques.
Applications typiques de l'IPM GaN
Cette série est conçue pour les applications à haute densité de puissance dans divers secteurs industriels :
Électronique grand public : Adaptateurs de boîtier PC haute puissance et batteries externes portables (NSG100LG025BD).
Systèmes automobiles : Chargeur embarqué (OBC) et convertisseur CC-CC (NDG100QF070MD).
Automatisation industrielle : servomoteurs de précision et actionneurs de joints robotisés (NDG100QF032MD).
Infrastructure du centre de données : alimentations des serveurs et convertisseur buck-boost haute fréquence (NDG100QF070MD).
Systèmes d'énergie renouvelable : protection des batteries (BMS) et onduleurs PV.
La série IPM GaN de Fenghua Microelectronics est un produit qui allie haute efficacité, conception compacte et protection fiable. Elle offre de faibles pertes par conduction et une capacité de commutation haute fréquence, contribuant ainsi à réduire la taille du système et à améliorer ses performances.
Veuillez consulter la fiche technique ou nous contacter pour obtenir une assistance technique concernant les paramètres électriques détaillés et les recommandations de conception d'application.
NDG100LG070BD
NDG100LG032MD
NSG100G025BD
| Modèle | Type d'emballage | Emballer | VD (V) | RDS(activé) typ. | ID@25℃ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDG100LG070BD | LGA | 5,5 × 4,5 × 1,0 mm | 100 | 6,3 mΩ | 29A |
| NDG100LG032MD | LGA | 7,0 × 5,0 × 1,0 mm | 100 | 2,7 mΩ | 60A |
| NSG100G025BD | FCLGA | 5,0 × 6,0 × 1,0 mm | 100 | 1,9 mΩ | 540 mA |

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