Módulo de potência FENGHUA GaN

A série de módulos de potência inteligentes (IPM) GaN da Fenghua Microelectronics utiliza a tecnologia de transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de modo de aprimoramento com nitreto de gálio em substrato de silício (GaN-on-Si) para oferecer desempenho confiável em aplicações de conversão de energia de alta frequência e alta eficiência.

Com uma arquitetura altamente integrada, a série melhora a densidade de potência, aprimora o desempenho térmico e reduz a necessidade de componentes externos. Como fornecedora profissional de módulos GaN IPM na China, a Fenghua oferece soluções adequadas tanto para aplicações industriais quanto para o consumidor final. Todos os produtos estão em conformidade com as normas. RoHS atendem aos padrões e oferecem desempenho elétrico estável e confiabilidade a longo prazo.

Principais características técnicas do módulo de potência GaN

Perdas de condução ultrabaixas
Atinge uma resistência em estado ligado tão baixa quanto 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), ajudando a reduzir as perdas por condução e a melhorar a eficiência geral do sistema.
Capacidade de comutação de alta frequência
Suporta frequências de comutação de até 5 MHz, com baixa carga de porta (11 nC) e carga de recuperação reversa zero, sendo adequado para projetos ressonantes de alta frequência.
Mecanismos de proteção abrangentes
Integra proteção contra subtensão (UVLO), proteção contra sobretensão (OVLO) e proteção contra sobretemperatura (OTP) para garantir uma operação segura e estável.
Alta imunidade a dv/dt
Oferece imunidade a ruído de 50 V/ns, ajudando a suprimir EMI e a manter um desempenho de comutação estável.
Gestão Térmica Avançada
Resistência térmica entre a junção e a carcaça tão baixa quanto 0,3°C/W (NSG100LG025BD), permitindo operação contínua com alta corrente e melhorando a vida útil do dispositivo.
Design de embalagem compacto
Disponível em encapsulamentos ultrafinos LGA e QFN (5,0 mm × 6,0 mm a 7,0 mm × 4,7 mm), reduzindo o espaço na placa de circuito impresso e melhorando a integração.

Especificações do produto GaN IPM

NSG100LG025BD
Módulo discreto GaN HEMT com resistência de condução de 1,9 mΩ, suportando corrente contínua superior a 200 A. Encapsulado em LGA ultrafino (5,0 mm × 6,0 mm) com resistência térmica de 0,3 °C/W.
Indicado para conversores CC-CC de alta frequência, proteção BMS e aplicações de energia móvel de alta potência.

NDG100QF070MD
Módulo integrado de meia ponte GaN com resistência de condução de 5,5 mΩ e driver de gate integrado, suportando frequências de comutação de até 5 MHz. Encapsulado em QFN (5,5 mm × 4,5 mm), com atraso de propagação de 20 ns e casamento de atraso de 1 ns. Inclui capacitores VCC/BST integrados para layout de PCB simplificado.
Recomendado para fontes de alimentação de data centers, OBC automotivo e conversores ressonantes LLC.

NDG100QF032MD
Meia-ponte GaN de alta corrente com resistência de condução de 2,4 mΩ, suportando corrente contínua de 60 A. Encapsulada em QFN (7,0 mm × 4,7 mm), com imunidade a dv/dt de 50 V/ns.
Adequado para acionamentos de motores de 48 V (500 W–1 kW), sistemas servo industriais e controle de juntas robóticas.

Aplicações típicas de IPM de GaN

Esta série foi projetada para aplicações de alta densidade de potência em diversos setores industriais:
Eletrônicos de consumo: Adaptadores de alta potência para gabinetes de PC e baterias externas portáteis (NSG100LG025BD).
Sistemas automotivos: Carregador de bordo (OBC) e conversor CC-CC (NDG100QF070MD).
Automação Industrial: Servoacionamentos de precisão e atuadores de juntas robóticas (NDG100QF032MD).
Infraestrutura de Data Center: Fontes de alimentação para servidores e conversor buck-boost de alta frequência (NDG100QF070MD).
Sistemas de energia renovável: proteção de baterias (BMS) e inversores fotovoltaicos.

A série de IPMs GaN da Fenghua Microelectronics é um produto que integra alta eficiência, design compacto e proteção confiável. Oferece baixas perdas de condução e capacidade de comutação de alta frequência, contribuindo para a redução do tamanho do sistema e a melhoria de seu desempenho.

Consulte a ficha técnica ou entre em contato conosco para obter suporte técnico com informações detalhadas sobre os parâmetros elétricos e as diretrizes de projeto de aplicação.