FENGHUA GaN-voedingsmodule

De Fenghua Microelectronics GaN IPM (Intelligent Power Module)-serie maakt gebruik van galliumnitride (GaN-on-Si) HEMT-technologie (High Electron Mobility Transistor) met een siliciumsubstraat om betrouwbare prestaties te leveren in hoogfrequente, zeer efficiënte energieomzettingsapplicaties.

Dankzij een sterk geïntegreerde architectuur verbetert de serie de vermogensdichtheid, de thermische prestaties en vermindert de behoefte aan externe componenten. Als professionele leverancier van GaN IPM-modules in China biedt Fenghua oplossingen die geschikt zijn voor zowel industriële als consumententoepassingen. Alle producten voldoen aan de normen. RoHS voldoen aan de normen en bieden stabiele elektrische prestaties en betrouwbaarheid op lange termijn.

Belangrijkste technische kenmerken van de GaN-vermogensmodule

Ultralage geleidingsverliezen
Bereikt een aanweerstand van slechts 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), wat helpt bij het verminderen van geleidingsverliezen en het verbeteren van de algehele systeemefficiëntie.
Hoogfrequent schakelvermogen
Ondersteunt schakelfrequenties tot 5 MHz, met een lage gate-lading (11 nC) en geen omgekeerde herstellading, waardoor het geschikt is voor resonantieontwerpen met hoge frequenties.
Uitgebreide beschermingsmechanismen
Het apparaat integreert onderspanningsbeveiliging (UVLO), overspanningsbeveiliging (OVLO) en oververhittingsbeveiliging (OTP) om een veilige en stabiele werking te garanderen.
Hoge dv/dt-immuniteit
Biedt een ruisimmuniteit van 50 V/ns, waardoor elektromagnetische interferentie wordt onderdrukt en stabiele schakelprestaties behouden blijven.
Geavanceerd thermisch beheer
De thermische weerstand tussen junctie en behuizing is slechts 0,3 °C/W (NSG100LG025BD), waardoor continu gebruik bij hoge stroomsterkte mogelijk is en de levensduur van het apparaat wordt verlengd.
Compact verpakkingsontwerp
Verkrijgbaar in ultradunne LGA- en QFN-behuizingen (5,0 mm × 6,0 mm tot 7,0 mm × 4,7 mm), waardoor de benodigde ruimte op de printplaat wordt verkleind en de integratie wordt verbeterd.

GaN IPM-productspecificaties

NSG100LG025BD
Discrete GaN HEMT-module met een aanweerstand van 1,9 mΩ, geschikt voor een continue stroom van meer dan 200 A. Verpakt in een ultradunne LGA-behuizing (5,0 mm × 6,0 mm) met een thermische weerstand van 0,3 °C/W.
Geschikt voor hoogfrequente DC-DC-omvormers, BMS-beveiliging en krachtige mobiele stroomvoorzieningstoepassingen.

NDG100QF070MD
Geïntegreerde GaN-halfbrugmodule met een aanweerstand van 5,5 mΩ en ingebouwde gate-driver, die schakelfrequenties tot 5 MHz ondersteunt. Verpakt in een QFN-behuizing (5,5 mm × 4,5 mm), met een voortplantingsvertraging van 20 ns en een vertragingsaanpassing van 1 ns. Inclusief geïntegreerde VCC/BST-condensatoren voor een vereenvoudigde printplaatlay-out.
Aanbevolen voor voedingen in datacenters, boordcomputers in de automobielindustrie en LLC-resonantieomvormers.

NDG100QF032MD
Hoogstroom GaN-halfbrug met een aanweerstand van 2,4 mΩ, geschikt voor een continue stroom van 60 A. Verpakt in een QFN-behuizing (7,0 mm × 4,7 mm), met een dv/dt-immuniteit van 50 V/ns.
Geschikt voor 48 V motorsturingen (500 W–1 kW), industriële servosystemen en robotgewrichtbesturing.

Typische toepassingen van GaN IPM

Deze serie is ontworpen voor toepassingen met een hoge vermogensdichtheid in diverse industrieën:
Consumentenelektronica: Krachtige pc-behuizingadapters en mobiele powerbanks (NSG100LG025BD).
Automotive systemen: On-board lader (OBC) en DC-DC-omvormer (NDG100QF070MD).
Industriële automatisering: Precisie servoaandrijvingen en robotgewrichtactuatoren (NDG100QF032MD).
Datacenterinfrastructuur: Servervoedingen en hoogfrequente buck-boost-converter (NDG100QF070MD).
Hernieuwbare energiesystemen: batterijbeheersysteem (BMS) en PV-omvormers.

De GaN IPM-serie van Fenghua Microelectronics combineert een hoog rendement, een compact ontwerp en betrouwbare bescherming. Het biedt lage geleidingsverliezen en een hoge schakelfrequentie, wat bijdraagt aan een kleinere systeemomvang en betere systeemprestaties.

Raadpleeg het specificatieblad of neem contact met ons op voor technische ondersteuning voor gedetailleerde elektrische parameters en richtlijnen voor het ontwerp van de toepassing.