FENGHUA GaN 전원 모듈

Fenghua Microelectronics의 GaN IPM(지능형 전력 모듈) 시리즈는 실리콘 기판 질화갈륨(GaN-on-Si) 향상 모드 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 기술을 활용하여 고주파, 고효율 전력 변환 애플리케이션에서 안정적인 성능을 제공합니다.

고도로 통합된 아키텍처를 통해 이 시리즈는 전력 밀도를 향상시키고 열 성능을 강화하며 외부 부품 필요성을 줄입니다. 중국의 전문 GaN IPM 모듈 공급업체인 Fenghua는 산업 및 소비자 애플리케이션 모두에 적합한 솔루션을 제공합니다. 모든 제품은 다음 규격을 준수합니다. RoHS 표준을 준수하며 안정적인 전기적 성능과 장기적인 신뢰성을 제공합니다.

GaN 전력 모듈 주요 기술 특징

초저전도손실
1.9mΩ(NSG100LG025BD)만큼 낮은 온저항을 달성하여 전도 손실을 줄이고 전체 시스템 효율을 향상시키는 데 도움이 됩니다.
고주파 스위칭 기능
최대 5MHz의 스위칭 주파수를 지원하며, 낮은 게이트 전하(11nC)와 역복구 전하가 없어 고주파 공진 설계에 적합합니다.
포괄적 보호 메커니즘
저전압 차단(UVLO), 과전압 차단(OVLO) 및 과열 보호(OTP) 기능을 통합하여 안전하고 안정적인 작동을 보장합니다.
높은 dv/dt 면역
50V/ns의 잡음 내성을 제공하여 EMI를 억제하고 안정적인 스위칭 성능을 유지합니다.
고급 열 관리
접합부와 케이스 사이의 열 저항이 0.3°C/W(NSG100LG025BD) 정도로 낮아 연속적인 고전류 작동을 지원하고 장치 수명을 향상시킵니다.
컴팩트한 패키징 디자인
초박형 LGA 및 QFN 패키지(5.0mm × 6.0mm ~ 7.0mm × 4.7mm)로 제공되어 PCB 공간을 줄이고 통합성을 향상시킵니다.

GaN IPM 제품 사양

NSG100LG025BD
온저항 1.9mΩ, 연속전류 200A 이상을 지원하는 개별 GaN HEMT 모듈입니다. 0.3°C/W의 열저항을 갖는 초박형 LGA(5.0mm × 6.0mm) 패키지로 제공됩니다.
고주파 DC-DC 컨버터, BMS 보호 및 고출력 모바일 전원 애플리케이션에 적합합니다.

NDG100QF070MD
온저항 5.5mΩ, 내장 게이트 드라이버를 갖춘 GaN 하프 브리지 모듈로 최대 5MHz의 스위칭 주파수를 지원합니다. QFN(5.5mm × 4.5mm) 패키지이며, 전파 지연 20ns, 지연 매칭 1ns를 제공합니다. PCB 레이아웃 간소화를 위해 VCC/BST 커패시터가 내장되어 있습니다.
데이터센터 전원 공급 장치, 자동차 OBC 및 LLC 공진 컨버터에 권장됩니다.

NDG100QF032MD
온저항 2.4mΩ, 연속전류 60A를 지원하는 고전류 GaN 하프 브리지입니다. QFN(7.0mm × 4.7mm) 패키지로 제공되며, 50V/ns의 dv/dt 내성을 갖습니다.
48V 모터 구동 장치(500W~1kW), 산업용 서보 시스템 및 로봇 관절 제어에 적합합니다.

GaN IPM의 일반적인 응용 분야

이 시리즈는 다양한 산업 분야의 고출력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
소비자 가전: 고출력 PC 케이스 어댑터 및 휴대용 보조 배터리(NSG100LG025BD).
자동차 시스템: 온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터(NDG100QF070MD).
산업 자동화: 정밀 서보 드라이브 및 로봇 관절 액추에이터(NDG100QF032MD).
데이터센터 인프라: 서버 전원 공급 장치 및 고주파 벅-부스트 컨버터(NDG100QF070MD).
재생에너지 시스템: 배터리 보호 시스템(BMS) 및 태양광 인버터.

풍화 마이크로일렉트로닉스의 GaN IPM 시리즈는 고효율, 소형 설계 및 안정적인 보호 기능을 통합한 제품입니다. 낮은 전도 손실과 고주파 스위칭 기능을 제공하여 시스템 크기를 줄이고 시스템 성능을 향상시키는 데 도움을 줍니다.

자세한 전기적 매개변수 및 적용 설계 지침은 제품 데이터시트를 참조하시거나 기술 지원팀에 문의하십시오.