Módulo de potencia FENGHUA GaN

La serie GaN IPM (Módulo de Potencia Inteligente) de Fenghua Microelectronics aprovecha la tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de modo de mejora con nitruro de galio sobre sustrato de silicio (GaN-on-Si) para ofrecer un rendimiento fiable en aplicaciones de conversión de energía de alta frecuencia y alta eficiencia.

Con una arquitectura altamente integrada, la serie mejora la densidad de potencia, optimiza el rendimiento térmico y reduce la necesidad de componentes externos. Como proveedor profesional de módulos GaN IPM en China, Fenghua ofrece soluciones adecuadas tanto para aplicaciones industriales como de consumo. Todos los productos cumplen con RoHS Cumplen con los estándares y ofrecen un rendimiento eléctrico estable y una fiabilidad a largo plazo.

Características técnicas clave del módulo de potencia GaN

Pérdidas de conducción ultrabajas
Alcanza una resistencia de encendido tan baja como 1,9 mΩ (NSG100LG025BD), lo que ayuda a reducir las pérdidas por conducción y a mejorar la eficiencia general del sistema.
Capacidad de conmutación de alta frecuencia
Admite frecuencias de conmutación de hasta 5 MHz, con una baja carga de puerta (11 nC) y carga de recuperación inversa nula, lo que lo hace adecuado para diseños resonantes de alta frecuencia.
Mecanismos de protección integral
Integra protección contra subtensión (UVLO), protección contra sobretensión (OVLO) y protección contra sobretemperatura (OTP) para garantizar un funcionamiento seguro y estable.
Alta inmunidad dv/dt
Proporciona inmunidad al ruido de 50 V/ns, lo que ayuda a suprimir las interferencias electromagnéticas y a mantener un rendimiento de conmutación estable.
Gestión térmica avanzada
Resistencia térmica entre la unión y la carcasa de tan solo 0,3 °C/W (NSG100LG025BD), lo que permite un funcionamiento continuo con alta corriente y mejora la vida útil del dispositivo.
Diseño de embalaje compacto
Disponibles en encapsulados LGA y QFN ultrafinos (de 5,0 mm × 6,0 mm a 7,0 mm × 4,7 mm), lo que reduce el espacio en la placa de circuito impreso y mejora la integración.

Especificaciones del producto GaN IPM

NSG100LG025BD
Módulo HEMT de GaN discreto con una resistencia de encendido de 1,9 mΩ, que admite una corriente continua superior a 200 A. Encapsulado en LGA ultrafino (5,0 mm × 6,0 mm) con una resistencia térmica de 0,3 °C/W.
Adecuado para convertidores CC-CC de alta frecuencia, protección BMS y aplicaciones de alimentación móvil de alta potencia.

NDG100QF070MD
Módulo de medio puente GaN integrado con resistencia de encendido de 5,5 mΩ y controlador de puerta incorporado, compatible con frecuencias de conmutación de hasta 5 MHz. Encapsulado en QFN (5,5 mm × 4,5 mm), con retardo de propagación de 20 ns y retardo de adaptación de impedancia de 1 ns. Incluye condensadores VCC/BST integrados para un diseño de PCB simplificado.
Recomendado para fuentes de alimentación de centros de datos, baterías de a bordo para automóviles y convertidores resonantes LLC.

NDG100QF032MD
Medio puente de GaN de alta corriente con una resistencia de encendido de 2,4 mΩ, que soporta una corriente continua de 60 A. Encapsulado en QFN (7,0 mm × 4,7 mm), con inmunidad a dv/dt de 50 V/ns.
Adecuado para accionamientos de motores de 48 V (500 W–1 kW), sistemas servo industriales y control de articulaciones robóticas.

Aplicaciones típicas de GaN IPM

Esta serie está diseñada para aplicaciones de alta densidad de potencia en una variedad de industrias:
Electrónica de consumo: Adaptadores de alta potencia para carcasas de PC y baterías portátiles (NSG100LG025BD).
Sistemas para automoción: Cargador a bordo (OBC) y convertidor CC-CC (NDG100QF070MD).
Automatización industrial: Servomotores de precisión y actuadores de articulación robótica (NDG100QF032MD).
Infraestructura del centro de datos: Fuentes de alimentación para servidores y convertidor elevador/reductor de alta frecuencia (NDG100QF070MD).
Sistemas de energías renovables: Sistemas de gestión de baterías (BMS) e inversores fotovoltaicos.

La serie GaN IPM de Fenghua Microelectronics integra alta eficiencia, diseño compacto y protección confiable. Ofrece bajas pérdidas por conducción y capacidad de conmutación de alta frecuencia para reducir el tamaño del sistema y mejorar su rendimiento.

Consulte la hoja de datos o póngase en contacto con nosotros para obtener asistencia técnica y conocer los parámetros eléctricos detallados y las directrices de diseño de la aplicación.