وحدة الطاقة FENGHUA GaN

تستفيد سلسلة وحدات الطاقة الذكية GaN IPM من Fenghua Microelectronics من تقنية ترانزستور التنقل الإلكتروني العالي (HEMT) المحسّن لركيزة السيليكون من نتريد الغاليوم (GaN-on-Si) لتقديم أداء موثوق به في تطبيقات تحويل الطاقة عالية التردد وعالية الكفاءة.

بفضل بنيتها المتكاملة للغاية، تُحسّن هذه السلسلة كثافة الطاقة، وتُعزز الأداء الحراري، وتقلل الحاجة إلى المكونات الخارجية. وبصفتها موردًا محترفًا لوحدات GaN IPM في الصين، تُقدم Fenghua حلولًا مناسبة للتطبيقات الصناعية والاستهلاكية على حدٍ سواء. جميع المنتجات متوافقة مع المعايير. RoHS تتميز بالمعايير وتوفر أداءً كهربائياً مستقراً وموثوقية طويلة الأمد.

الميزات التقنية الرئيسية لوحدة طاقة GaN

خسائر توصيل منخفضة للغاية
يحقق مقاومة منخفضة تصل إلى 1.9 ملي أوم (NSG100LG025BD)، مما يساعد على تقليل خسائر التوصيل وتحسين كفاءة النظام بشكل عام.
قدرة التبديل عالية التردد
يدعم ترددات التبديل حتى 5 ميجاهرتز، مع شحنة بوابة منخفضة (11 نانو كولوم) وشحنة استرداد عكسي صفرية، وهو مناسب للتصميمات الرنانة عالية التردد.
آليات الحماية الشاملة
يدمج نظام قفل الجهد المنخفض (UVLO) ونظام قفل الجهد الزائد (OVLO) ونظام الحماية من ارتفاع درجة الحرارة (OTP) لضمان التشغيل الآمن والمستقر.
مناعة عالية ضد dv/dt
يوفر مناعة ضد الضوضاء بمقدار 50 فولت/نانو ثانية، مما يساعد على قمع التداخل الكهرومغناطيسي والحفاظ على أداء تبديل مستقر.
إدارة حرارية متطورة
مقاومة حرارية منخفضة تصل إلى 0.3 درجة مئوية/واط (NSG100LG025BD) من الوصلة إلى الغلاف، مما يدعم التشغيل المستمر للتيار العالي ويحسن عمر الجهاز.
تصميم عبوات مضغوطة
متوفر في حزم LGA و QFN فائقة النحافة (5.0 مم × 6.0 مم إلى 7.0 مم × 4.7 مم)، مما يقلل من مساحة لوحة الدوائر المطبوعة ويحسن التكامل.

مواصفات منتج GaN IPM

NSG100LG025BD
وحدة GaN HEMT منفصلة بمقاومة تشغيل تبلغ 1.9 ملي أوم، تدعم تيارًا مستمرًا يزيد عن 200 أمبير. مُغلّفة في غلاف LGA فائق النحافة (5.0 مم × 6.0 مم) بمقاومة حرارية تبلغ 0.3 درجة مئوية/واط.
مناسب لمحولات التيار المستمر عالية التردد، وحماية نظام إدارة البطارية، وتطبيقات الطاقة المتنقلة عالية الطاقة.

NDG100QF070MD
وحدة جسر نصفي متكاملة من نيتريد الغاليوم (GaN) بمقاومة تشغيل 5.5 ملي أوم ودائرة تشغيل بوابة مدمجة، تدعم ترددات تبديل تصل إلى 5 ميجاهرتز. مُغلّفة في حزمة QFN (5.5 مم × 4.5 مم)، مع زمن تأخير انتشار 20 نانوثانية وزمن مطابقة تأخير 1 نانوثانية. تتضمن مكثفات VCC/BST مدمجة لتسهيل تصميم لوحة الدوائر المطبوعة (PCB).
يوصى به لإمدادات الطاقة في مراكز البيانات، ووحدات التحكم الإلكترونية في السيارات، ومحولات الرنين LLC.

NDG100QF032MD
جسر نصفي من نيتريد الغاليوم عالي التيار بمقاومة تشغيل تبلغ 2.4 ملي أوم، يدعم تيارًا مستمرًا يصل إلى 60 أمبير. مُغلّف في حزمة QFN (7.0 مم × 4.7 مم)، مع مناعة ضد تغير الجهد بمعدل 50 فولت/نانو ثانية.
مناسب لمحركات 48 فولت (500 واط - 1 كيلو واط)، وأنظمة المؤازرة الصناعية، والتحكم في مفاصل الروبوتات.

التطبيقات النموذجية لتقنية GaN IPM

صُممت هذه السلسلة لتطبيقات ذات كثافة طاقة عالية في مجموعة متنوعة من الصناعات:
الإلكترونيات الاستهلاكية: محولات طاقة عالية لأجهزة الكمبيوتر الشخصية وبنوك الطاقة المحمولة (NSG100LG025BD).
أنظمة السيارات: شاحن داخلي (OBC) ومحول DC-DC (NDG100QF070MD).
الأتمتة الصناعية: محركات سيرفو دقيقة ومحركات مفصلية روبوتية (NDG100QF032MD).
البنية التحتية لمركز البيانات: مزودات طاقة الخادم ومحول رفع وخفض التردد العالي (NDG100QF070MD).
أنظمة الطاقة المتجددة: حماية البطارية (BMS) ومحولات الطاقة الشمسية الكهروضوئية.

تُعدّ سلسلة وحدات الطاقة المتكاملة من نيتريد الغاليوم (GaN IPM) من شركة Fenghua Microelectronics منتجًا يجمع بين الكفاءة العالية والتصميم المدمج والحماية الموثوقة. فهي توفر خسائر توصيل منخفضة وقدرة تبديل عالية التردد، مما يُسهم في تقليل حجم النظام وتحسين أدائه.

يرجى الاطلاع على ورقة البيانات أو الاتصال بنا للحصول على الدعم الفني فيما يتعلق بالمعايير الكهربائية التفصيلية وإرشادات تصميم التطبيقات.