{"id":14352,"date":"2026-06-29T00:39:14","date_gmt":"2026-06-29T08:39:14","guid":{"rendered":"https:\/\/www.nei-led.com\/?post_type=product&p=14352"},"modified":"2026-09-09T19:11:00","modified_gmt":"2026-09-10T03:11:00","slug":"gan-powe-module","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.nei-led.com\/it\/product\/gan-powe-module\/","title":{"rendered":"Modulo di potenza GaN FENGHUA"},"content":{"rendered":"
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La serie GaN IPM (Intelligent Power Module) di Fenghua Microelectronics sfrutta la tecnologia HEMT (Enhanced Electron Mobility Transistor) a modo di arricchimento in nitruro di gallio su substrato di silicio (GaN-on-Si) per offrire prestazioni affidabili in applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza e alta efficienza.<\/p>\n

Grazie a un'architettura altamente integrata, la serie migliora la densit\u00e0 di potenza, ottimizza le prestazioni termiche e riduce la necessit\u00e0 di componenti esterni. In qualit\u00e0 di fornitore professionale di moduli GaN IPM in Cina, Fenghua offre soluzioni adatte sia ad applicazioni industriali che di consumo. Tutti i prodotti sono conformi a Direttiva RoHS<\/span><\/a> rispettano gli standard e offrono prestazioni elettriche stabili e affidabilit\u00e0 a lungo termine.<\/p>\n

Caratteristiche tecniche principali del modulo di potenza GaN<\/span><\/h2>\n

Perdite di conduzione ultra-basse<\/strong>
\nRaggiunge una resistenza di conduzione di soli 1,9 m\u03a9 (NSG100LG025BD), contribuendo a ridurre le perdite di conduzione e a migliorare l'efficienza complessiva del sistema.
\nCapacit\u00e0 di commutazione ad alta frequenza<\/strong>
\nSupporta frequenze di commutazione fino a 5 MHz, con bassa carica di gate (11 nC) e carica di recupero inversa nulla, adatta per progetti risonanti ad alta frequenza.
\nMeccanismi di protezione completi<\/strong>
\nIntegra la protezione da sottotensione (UVLO), la protezione da sovratensione (OVLO) e la protezione da sovratemperatura (OTP) per garantire un funzionamento sicuro e stabile.
\nImmunit\u00e0 ad alto dv\/dt<\/strong>
\nOffre un'immunit\u00e0 al rumore di 50 V\/ns, contribuendo a sopprimere le interferenze elettromagnetiche e a mantenere prestazioni di commutazione stabili.
\nGestione termica avanzata<\/strong>
\nResistenza termica giunzione-involucro pari a soli 0,3 \u00b0C\/W (NSG100LG025BD), che supporta il funzionamento continuo ad alta corrente e migliora la durata del dispositivo.
\nDesign compatto dell'imballaggio<\/strong>
\nDisponibili in package LGA e QFN ultrasottili (da 5,0 mm \u00d7 6,0 mm a 7,0 mm \u00d7 4,7 mm), che riducono lo spazio occupato sul PCB e migliorano l'integrazione.<\/p>\n

Specifiche del prodotto GaN IPM<\/span><\/h2>\n

NSG100LG025BD<\/strong>
\nModulo HEMT GaN discreto con resistenza di conduzione di 1,9 m\u03a9, in grado di supportare una corrente continua superiore a 200 A. Confezionato in un package LGA ultrasottile (5,0 mm \u00d7 6,0 mm) con resistenza termica di 0,3 \u00b0C\/W.
\nAdatto per convertitori DC-DC ad alta frequenza, protezione BMS e applicazioni di alimentazione mobile ad alta potenza.<\/p>\n

NDG100QF070MD<\/strong>
\nModulo half-bridge GaN integrato con resistenza di conduzione di 5,5 m\u03a9 e driver di gate incorporato, che supporta frequenze di commutazione fino a 5 MHz. Confezionato in QFN (5,5 mm \u00d7 4,5 mm), con ritardo di propagazione di 20 ns e adattamento di ritardo di 1 ns. Include condensatori VCC\/BST integrati per semplificare il layout del PCB.
\nConsigliato per alimentatori per data center, computer di bordo per autoveicoli e convertitori risonanti LLC.<\/p>\n

NDG100QF032MD<\/strong>
\nSemiponte GaN ad alta corrente con resistenza di conduzione di 2,4 m\u03a9, in grado di supportare una corrente continua di 60 A. Confezionato in QFN (7,0 mm \u00d7 4,7 mm), con immunit\u00e0 dv\/dt di 50 V\/ns.
\nAdatto per azionamenti di motori a 48 V (500 W\u20131 kW), sistemi servo industriali e controllo di giunti robotici.<\/p>\n

Applicazioni tipiche di GaN IPM<\/span><\/h2>\n

Questa serie \u00e8 progettata per applicazioni ad alta densit\u00e0 di potenza in diversi settori industriali:
\nElettronica di consumo: adattatori per case PC ad alta potenza e power bank per dispositivi mobili (NSG100LG025BD).
\nSistemi per autoveicoli: caricabatterie di bordo (OBC) e convertitore CC-CC (NDG100QF070MD).
\nAutomazione industriale: servomotori di precisione e attuatori per giunti robotici (NDG100QF032MD).
\nInfrastruttura del data center: alimentatori per server e convertitore buck-boost ad alta frequenza (NDG100QF070MD).
\nSistemi di energia rinnovabile: protezione delle batterie (BMS) e inverter fotovoltaici.<\/p>\n

La serie GaN IPM di Fenghua Microelectronics \u00e8 un prodotto che integra alta efficienza, design compatto e protezione affidabile. Offre basse perdite di conduzione e capacit\u00e0 di commutazione ad alta frequenza, contribuendo a ridurre le dimensioni del sistema e a migliorarne le prestazioni.<\/p>\n

Per informazioni dettagliate sui parametri elettrici e le linee guida per la progettazione dell'applicazione, consultare la scheda tecnica o contattarci per ricevere supporto tecnico.<\/p>\n\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NDG100LG070BD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NDG100LG070BD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NDG100LG032MD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NDG100LG032MD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NSG100G025BD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NSG100G025BD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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Modello<\/th>Tipo di confezione<\/th>Pacchetto<\/th>VD (V)<\/th>Tipo RDS (attivo)<\/th>ID@25\u2103<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
NDG100LG070BD<\/td>LGA<\/td>5,5\u00d74,5\u00d71,0 mm<\/td>100<\/td>6,3 m\u03a9<\/td>29A<\/td>\n<\/tr>\n
NDG100LG032MD<\/td>LGA<\/td>7,0\u00d75,0\u00d71,0 mm<\/td>100<\/td>2,7 m\u03a9<\/td>60A<\/td>\n<\/tr>\n
NSG100G025BD<\/td>FCLGA<\/td>5,0\u00d76,0\u00d71,0 mm<\/td>100<\/td>1,9 m\u03a9<\/td>540 mA<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/p>