{"id":14352,"date":"2026-06-29T00:39:14","date_gmt":"2026-06-29T08:39:14","guid":{"rendered":"https:\/\/www.nei-led.com\/?post_type=product&p=14352"},"modified":"2026-09-09T19:11:00","modified_gmt":"2026-09-10T03:11:00","slug":"gan-powe-module","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.nei-led.com\/de\/product\/gan-powe-module\/","title":{"rendered":"FENGHUA GaN-Leistungsmodul"},"content":{"rendered":"
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Die GaN IPM (Intelligent Power Module)-Serie von Fenghua Microelectronics nutzt die Siliziumsubstrat-Galliumnitrid (GaN-on-Si)-Enhancement-Mode-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor), um eine zuverl\u00e4ssige Leistung in Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungswandlungsanwendungen zu gew\u00e4hrleisten.<\/p>\n

Dank ihrer hochintegrierten Architektur verbessert die Serie die Leistungsdichte, optimiert die thermische Leistung und reduziert den Bedarf an externen Komponenten. Als professioneller Anbieter von GaN-IPM-Modulen in China bietet Fenghua L\u00f6sungen f\u00fcr industrielle und private Anwendungen. Alle Produkte entsprechen den geltenden Normen. RoHS<\/span><\/a> Sie entsprechen den Standards und bieten stabile elektrische Leistung sowie langfristige Zuverl\u00e4ssigkeit.<\/p>\n

Wichtigste technische Merkmale des GaN-Leistungsmoduls<\/span><\/h2>\n

Extrem niedrige Leitungsverluste<\/strong>
\nErreicht einen Einschaltwiderstand von nur 1,9 m\u03a9 (NSG100LG025BD), wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz des Systems verbessert werden.
\nHochfrequenz-Schaltf\u00e4higkeit<\/strong>
\nUnterst\u00fctzt Schaltfrequenzen bis zu 5 MHz, mit niedriger Gate-Ladung (11 nC) und Null-R\u00fccklade-Ladung, geeignet f\u00fcr Hochfrequenz-Resonanzschaltungen.
\nUmfassende Schutzmechanismen<\/strong>
\nIntegriert Unterspannungsschutz (UVLO), \u00dcberspannungsschutz (OVLO) und \u00dcbertemperaturschutz (OTP), um einen sicheren und stabilen Betrieb zu gew\u00e4hrleisten.
\nHohe dv\/dt-Immunit\u00e4t<\/strong>
\nBietet eine St\u00f6rfestigkeit von 50 V\/ns, wodurch elektromagnetische St\u00f6rungen unterdr\u00fcckt und ein stabiles Schaltverhalten gew\u00e4hrleistet werden.
\nFortschrittliches W\u00e4rmemanagement<\/strong>
\nDer thermische Widerstand zwischen Sperrschicht und Geh\u00e4use betr\u00e4gt nur 0,3\u00b0C\/W (NSG100LG025BD) und erm\u00f6glicht so einen kontinuierlichen Hochstrombetrieb und eine verbesserte Lebensdauer des Bauelements.
\nKompaktes Verpackungsdesign<\/strong>
\nErh\u00e4ltlich in ultrad\u00fcnnen LGA- und QFN-Geh\u00e4usen (5,0 mm \u00d7 6,0 mm bis 7,0 mm \u00d7 4,7 mm), wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte reduziert und die Integration verbessert wird.<\/p>\n

GaN IPM Produktspezifikationen<\/span><\/h2>\n

NSG100LG025BD<\/strong>
\nDiskretes GaN-HEMT-Modul mit 1,9 m\u03a9 Einschaltwiderstand, geeignet f\u00fcr Dauerstr\u00f6me \u00fcber 200 A. Geh\u00e4use in ultrad\u00fcnnem LGA-Geh\u00e4use (5,0 mm \u00d7 6,0 mm) mit einem W\u00e4rmewiderstand von 0,3 \u00b0C\/W.
\nGeeignet f\u00fcr Hochfrequenz-DC\/DC-Wandler, BMS-Schutz und mobile Hochleistungsstromversorgungsanwendungen.<\/p>\n

NDG100QF070MD<\/strong>
\nIntegriertes GaN-Halbbr\u00fcckenmodul mit 5,5 m\u03a9 Einschaltwiderstand und integriertem Gate-Treiber, unterst\u00fctzt Schaltfrequenzen bis zu 5 MHz. Geh\u00e4use im QFN-Format (5,5 mm \u00d7 4,5 mm) mit 20 ns Laufzeitverz\u00f6gerung und 1 ns Laufzeitanpassung. Integrierte VCC\/BST-Kondensatoren vereinfachen das Leiterplattenlayout.
\nEmpfohlen f\u00fcr Rechenzentrumsnetzteile, Bordnetzteile in Kraftfahrzeugen und LLC-Resonanzwandler.<\/p>\n

NDG100QF032MD<\/strong>
\nHochstromf\u00e4hige GaN-Halbbr\u00fccke mit 2,4 m\u03a9 Einschaltwiderstand, geeignet f\u00fcr 60 A Dauerstrom. Geh\u00e4use im QFN-Format (7,0 mm \u00d7 4,7 mm) mit einer Spannungsfestigkeit von 50 V\/ns.
\nGeeignet f\u00fcr 48-V-Motorantriebe (500 W\u20131 kW), industrielle Servosysteme und Robotergelenksteuerung.<\/p>\n

GaN IPM Typische Anwendungen<\/span><\/h2>\n

Diese Serie ist f\u00fcr Anwendungen mit hoher Leistungsdichte in einer Vielzahl von Branchen konzipiert:
\nUnterhaltungselektronik: Hochleistungs-PC-Geh\u00e4useadapter und mobile Powerbanks (NSG100LG025BD).
\nAutomobilsysteme: On-Board-Ladeger\u00e4t (OBC) und DC-DC-Wandler (NDG100QF070MD).
\nIndustrieautomation: Pr\u00e4zisions-Servoantriebe und Robotergelenkaktuatoren (NDG100QF032MD).
\nRechenzentrumsinfrastruktur: Server-Netzteile und Hochfrequenz-Aufw\u00e4rts-\/Abw\u00e4rtswandler (NDG100QF070MD).
\nSysteme f\u00fcr erneuerbare Energien: Batterieschutzsysteme (BMS) und PV-Wechselrichter.<\/p>\n

Die GaN-IPM-Serie von Fenghua Microelectronics vereint hohe Effizienz, kompaktes Design und zuverl\u00e4ssigen Schutz. Sie bietet geringe Leitungsverluste und Hochfrequenz-Schaltf\u00e4higkeit, wodurch die Systemgr\u00f6\u00dfe reduziert und die Systemleistung verbessert wird.<\/p>\n

Detaillierte elektrische Parameter und Anwendungsrichtlinien entnehmen Sie bitte dem Datenblatt oder kontaktieren Sie uns f\u00fcr technischen Support.<\/p>\n\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NDG100LG070BD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NDG100LG070BD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NDG100LG032MD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NDG100LG032MD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"NSG100G025BD\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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NSG100G025BD<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

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Modell<\/th>Verpackungsart<\/th>Paket<\/th>VD (V)<\/th>RDS (an) typ<\/th>ID@25\u2103<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
NDG100LG070BD<\/td>LGA<\/td>5,5 \u00d7 4,5 \u00d7 1,0 mm<\/td>100<\/td>6,3 m\u03a9<\/td>29A<\/td>\n<\/tr>\n
NDG100LG032MD<\/td>LGA<\/td>7,0 \u00d7 5,0 \u00d7 1,0 mm<\/td>100<\/td>2,7 m\u03a9<\/td>60A<\/td>\n<\/tr>\n
NSG100G025BD<\/td>FCLGA<\/td>5,0 \u00d7 6,0 \u00d7 1,0 mm<\/td>100<\/td>1,9 m\u03a9<\/td>540 mA<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/p>